发明名称 |
热致发声装置 |
摘要 |
本发明涉及一种热致发声装置,其包括:一基底,具有一第一表面以及相对的第二表面;一绝缘层,设置于所述基底的第一表面;一热致发声元件,设置于所述第一表面的绝缘层的表面,并与所述基底绝缘设置;以及一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接;其中,所述基底为一硅基底,所述硅基底的第一表面形成有多个凸部,相邻的凸部之间形成一凹部,对应凹部位置处的热致发声元件相对于所述凹部悬空设置。 |
申请公布号 |
CN103841500A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201210471052.8 |
申请日期 |
2012.11.20 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;林晓阳;姜开利;范守善 |
分类号 |
H04R23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R23/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种热致发声装置,包括:一基底,具有一第一表面以及相对的第二表面;一热致发声元件,设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置;以及一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接;其特征在于,所述基底为一硅基底,所述硅基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述热致发声元件包括一层状碳纳米管结构,该层状碳纳米管结构在所述凹槽处悬空设置。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |