| 发明名称 | 选区SiGeSn层及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种选区SiGeSn层及其形成方法，包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在Ge层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向Ge层表层注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。本发明能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103839786A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201410063248.2 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 肖磊;王敬;赵梅;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在所述Ge层表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成开口；向所述Ge层表层注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||