| 发明名称 | LED外延片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LED外延片及其制造方法。该LED外延片包括：图形化衬底、外延层和反射层，所述外延层形成于所述图形化衬底的正面，所述反射层形成于所述图形化衬底的背面，所述反射层包括按照交替周期数交替形成的低折射率膜层和高折射率膜层。反射层可直接形成于LED外延片的背面，无需采用价格较高的GaAs衬底以及无需采用晶片键合技术，制作过程简单，从而极大的降低了LED的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103840046A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210486695.X | 申请日期 | 2012.11.26 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 何丽 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种LED外延片，其特征在于，包括：图形化衬底、外延层和反射层，所述外延层形成于所述图形化衬底的正面，所述反射层形成于所述图形化衬底的背面，所述反射层包括按照交替周期数交替形成的低折射率膜层和高折射率膜层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||