| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和层间介电层；使所述层间介电层转变为多孔低κ介电层；在所述层间介电层上形成不含造孔剂前体的致密低κ介电层；在所述致密低κ介电层上形成另一层间介电层，并使所述另一层间介电层转变为多孔低κ介电层。根据本发明，在使所述层间介电层保持较低的κ值的同时使其具有足够高的机械强度，避免实施半导体器件封装工艺时出现的失效现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103839873A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210477196.4 | 申请日期 | 2012.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和层间介电层；b)使所述层间介电层转变为多孔低κ介电层；c)在所述层间介电层上形成不含造孔剂前体的致密低κ介电层；d)在所述致密低κ介电层上形成另一层间介电层，并使所述另一层间介电层转变为多孔低κ介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||