半导体器件制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，该方法包括：在基底内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成介质层并对所述介质层进行化学机械研磨；通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理。本发明所提供的半导体器件制造方法，在对浅沟槽内的介质层进行化学机械研磨之后，通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理，从而可将浅沟槽角部的外延层氧化，使得所述浅沟槽角部圆滑化。通过控制高温热氧化工艺中的工艺参数可控制浅沟槽角部圆滑化的程度，进而可避免因较尖的浅沟槽角部而对器件击穿电压和阈值电压造成影响。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在基底内形成浅沟槽，包括：在基底上依次形成隔离介质层及硬掩膜层，采用具有沟槽图案的掩膜版在所述基底内形成浅沟槽；去除浅沟槽角部的部分隔离介质层；采用氧化工艺在所述浅沟槽的底部及侧壁生长一层厚度为的衬垫氧化层；采用高密度等离子体化学气相沉积方法在所述浅沟槽内形成介质层；对所述介质层进行化学机械研磨；通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理，包括：将所述基底放入高温热氧化设备中，向所述高温热氧化设备中通入含氧气体，在所述硬掩膜层表面及浅沟槽的角部形成氧化物。