使用应力记忆技术的半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，刻蚀需形成金属硅化物区域上的二次侧墙薄膜层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成二次侧墙，直接利用二次侧墙作为自对准金属硅化物阻挡层，在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层，从而简化了工艺步骤；进一步的，形成金属硅化物层之后去除二次侧墙，采用应力邻近效应技术，使得CESL应力层更加邻近沟道，有利于提到器件的性能；此外，本发明的一次侧墙和二次侧墙均采用无定形碳，在去除一次侧墙和二次侧墙的时候可以采用灰化工艺，方便去除。

主权项

一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极结构并进行轻掺杂漏极注入，所述衬底包括需形成金属硅化物区域和无需形成金属硅化物区域；在所述衬底和栅极结构上形成一次侧墙薄膜层；刻蚀所述一次侧墙薄膜层以在所述栅极结构侧壁形成一次侧墙；进行源/漏离子注入形成源/漏区；去除所述一次侧墙；在所述衬底和栅极结构上形成应力层，并进行退火处理；去除所述应力层；在所述衬底和栅极结构上形成二次侧墙薄膜层；在所述二次侧墙薄膜层上形成二次侧墙保护层；在所述衬底和栅极结构上形成光刻胶层；利用曝光和显影工艺去除所述需形成金属硅化物区域上的光刻胶层；刻蚀需形成金属硅化物区域上的二次侧墙薄膜层和二次侧墙保护层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成二次侧墙；去除剩余的光刻胶层；在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层。