制备双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法

摘要

本发明提供一种制备双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法。本发明中PMOSFET采用(110)表面晶向硅层，NMOSFET采用(100)表面晶向硅层。在低温剥离技术中，随着氢气的压力增大，裂缝更倾向于沿(100)晶向生长，因此沿(100)晶向更容易进行硅层剥离，方便了层转移工艺实现。

主权项

一种制备双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在SOI顶层先后形成SiGe层、Si层和SiGe层和SOI硅片上的沟道区N型离子注入：步骤2：对器件进行光刻工艺，刻蚀形成鳍形有源区，去除鳍形有源区中的SiGe层，形成SiNWFET沟道的硅纳米线；步骤3：在器件上沉积隔离介质层；步骤4：对下层PMOS进行源漏区离子注入和退火，步骤5：在SiNWFET沟道的硅纳米线上方的隔离介质层上进行光刻和选择性刻蚀形成栅极沟槽，所述栅极沟槽中暴露出硅纳米线；步骤6：在对器件进行栅极氧化层工艺，在SiNW和衬底及源漏区域表面形成SiO₂或SiON或者高k介质层或其混合层；再在栅极氧化层淀积栅极材料，对器件进行金属、半导体合金工艺处理形成下层SiNW反型模式PMOSFET结构；步骤7：在器件上沉积下层PMOSFET的ILD层，在ILD层表面，Si键合片和下面已制备有(110)/<110>SiNW PMOSFET的支撑片低温键合处理，使得ILD层上形成一(100)表面晶向Si层；步骤8：在上步骤形成的Si层上重复进行上述步骤1至6所述的步骤，采用低温方法形成上层SiNW反型模式NMOSFET结构，所述Si层选用P型离子进行沟道的离子掺杂；步骤9：通过后道金属互连工艺引出下层PMOSFET和上层NMOSFET各端口。