发明名称 半导体存储器装置
摘要 本发明涉及半导体存储器装置。根据一个实施例,一种半导体存储器装置包括具有其中写入数据的可写存储区域的多个半导体存储器芯片。所述数据具有一个或多个第一数据的段,并且一个或多个所述第一数据的段包括第二数据。所述装置包括:确定单元,确定所述第一数据被写入的预定数目或更少的半导体存储器芯片;写控制器,将所述第一数据和冗余信息写入确定的半导体存储器芯片中的所述可写存储区域中,所述冗余信息是从所述第二数据计算出的且被用于校正所述第二数据中的错误;以及存储单元,在其中存储彼此相关联的识别信息和区域指定信息。所述识别信息使所述第二数据和所述冗余信息相关联,并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的包括在所述第二数据中的所述第一数据和所述冗余信息被写入的存储区域。
申请公布号 CN102194527B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN201110049304.3 申请日期 2011.03.01
申请人 株式会社 东芝 发明人 吉井谦一郎;福富和弘;菅野伸一;浅野滋博
分类号 G11C29/44(2006.01)I 主分类号 G11C29/44(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种半导体存储器装置,包括具有可写存储区域的多个半导体存储器芯片,在所述可写存储区域中写入由信息处理设备请求写入的数据,所述数据具有预定单位的一个或多个第一数据的段,并且一个或多个所述第一数据的段包括第二数据,其特征在于所述装置包括:存储单元,其被配置为在其中存储使用状态信息,所述使用状态信息对每一个所述半导体存储器芯片的每一个所述存储区域指示出所述存储区域是否可写入,确定单元,其被配置为通过参照所述使用状态信息来从除了不具有可写存储区域的第一半导体存储器芯片之外的半导体存储器芯片确定所述第一数据的段和冗余信息将被写入的半导体存储器芯片,所述冗余信息是从所述第二数据计算出的且被用于校正所述第二数据中的错误;写控制器,其被配置为将所述第一数据的段和冗余信息写入由所述确定单元确定的所述半导体存储器芯片中的所述可写存储区域中;以及所述存储单元进一步在其中存储识别信息和区域指定信息以使所述识别信息和区域指定信息彼此相关联,所述识别信息使所述第二数据和所述冗余信息相关联,并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的包括在所述第二数据中的所述第一数据的段和所述冗余信息将被写入的存储区域。
地址 日本东京都