一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构。本发明公开了一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构，通过进行斜角重掺杂离子注入工艺，一方面提高了漏端沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面拉远了源端与衬底间的距离，降低了积聚载流子从源端的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。

主权项

一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法，一衬底上设置有栅极的半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：对半导体器件进行斜角重掺杂离子注入工艺，于衬底中形成沟道、源极和漏极；其中，重掺杂离子注入采用磷注入，离子注入向漏极方向倾斜，形成的源极和漏极是非对称结构，漏极中的掺杂离子比源极中的掺杂离子更靠近沟道；当栅极上加上电压后，一方面衬底电流增加，衬底积聚载流子的速度增加，另一方面，衬底积聚的载流子从源端泄漏的速度降低。