用三个或四个掩膜制备的氧化物终止沟槽MOSFET

摘要

一种氧化物终止半导体器件可以由多个栅极沟槽、一个栅极滑道以及一个绝缘终止沟槽构成。这些栅极沟槽位于有源区中。每个栅极沟槽都含有一个导电栅极电极。绝缘终止沟槽位于包围着有源区的终止区中。用绝缘材料填充绝缘终止沟槽，以制备半导体器件的绝缘终止。该器件可以利用三掩膜或四掩膜工艺制备。

主权项

一种用三个或四个掩膜制备绝缘终止半导体器件的方法，其特征在于，包括：步骤a：在半导体衬底上，使用沟槽掩膜；步骤b：通过沟槽掩膜，刻蚀半导体衬底，形成第一沟槽TR1、第二沟槽TR2和第三沟槽TR3，宽度分别为W1、W2和W3，其中第三沟槽TR3是最窄的沟槽，其中第一沟槽TR1包围着第三沟槽TR3；步骤c：在第三沟槽TR3中制备导电材料，以构成栅极电极，在第二沟槽TR2中制备导电材料，以构成栅极滑道；步骤d：用绝缘材料填充第一沟槽TR1，以构成包围着栅极电极的绝缘隔绝沟槽；步骤e：在整个衬底顶部，制备一个本体层；步骤f：在整个本体层顶部，制备一个源极层；步骤g：在半导体衬底上方，应用一个绝缘层；步骤h：在绝缘层上方，应用一个接触掩膜；步骤i：穿过绝缘层，形成到源极层和到栅极滑道的接触开口；并且步骤j：在绝缘层上，形成源极和栅极金属区，分别与源极和栅极滑道接头电接触，包括在绝缘层上方，沉积一个金属层；在金属层上方，使用一个金属掩膜；并且通过金属掩膜，刻蚀金属层，以形成栅极金属和源极金属。