制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的中间金属层；在中间金属层上形成顶金属层的刻蚀停止层；对所述半导体衬底进行烘烤步骤；使用冲洗剂对所述刻蚀停止层进行冲洗步骤；在所述刻蚀停止层上形成介电材料层。本发明的方法通过在形成顶金属层的工艺中增加烘烤和冲洗步骤，可以有效地避免后续形成介电材料层的过程中，刻蚀停止层释放应力而形成剥落源，进而可以避免在介电材料层中形成剥落缺陷以及可能发生的剥落现象。进一步，可以防止剥落缺陷和剥落现象对后续工艺产生影响，进而提高芯片的良品率。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的中间金属层；在所述中间金属层上形成顶金属层的刻蚀停止层；对所述半导体衬底进行烘烤步骤，以释放所述刻蚀停止层沉积过程中产生的应力；使用冲洗剂对所述刻蚀停止层进行冲洗步骤，以去除实施所述烘烤步骤而在所述刻蚀停止层的表面所产生的颗粒物；在所述刻蚀停止层上形成介电材料层。