线内处理系统

摘要

本实用新型的实施例涉及一种线内处理系统。向硅基板涂覆掺杂剂材料。之后使用激光来驱使来自掺杂剂材料的掺杂剂原子深入基板，从而形成高度掺杂的区域。随后对基板进行热处理，以在基板的剩余场区形成轻掺杂发射极区与浅p-n结。之后将导电触点沉积在高掺杂区上。所得场区具有高阻抗发射极区，所述高阻抗发射极区可吸收最少的光，使得有增量的光到达p-n结以转化成为电流。所得太阳能电池的高掺杂区具有非常低的电阻，以在发射极区与导电触点之间提供高传导路径。

主权项

一种线内处理系统，其特征在于，所述线内处理系统包含： 掺杂模块，所述掺杂模块被装配成将掺杂剂材料层涂覆至基板的一个或多个表面； 激光扫描模块，将所述激光扫描模块放置在所述掺杂模块的下游，并且所述激光扫描模块具有激光，所述激光被装配成将图案扫描在所述掺杂剂材料上，从而使原子扩散进入所述基板，以在所述基板内产生重掺杂区图案；以及 热处理模块，将所述热处理模块放置在所述激光扫描模块的下游，所述热处理模块被装配成使所述基板加热至大于800摄氏度，从而在所述基板内形成发射极场区。