磁传感器装置

摘要

磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。

主权项

一种磁传感器装置，具备：搬运路，搬运包含磁性图案的被检测体；磁场生成部，具备相对于所述搬运路而相互位于相反侧的一对磁铁、或者相对于所述搬运路而相互位于相反侧的磁铁以及磁性体，在所述搬运路中，生成交叉磁场，在所述交叉磁场中，间隔方向的磁场强度为既定的范围，所述间隔方向是与所述被检测体的搬运方向正交的方向、且是垂直地贯穿所述磁性图案的方向；磁阻效应元件，在所述交叉磁场中，位于所述磁铁或者所述磁性体与所述搬运路之间，将所述被检测体的所述磁性图案引起的所述交叉磁场的所述搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测；以及输出部，连接于所述磁阻效应元件，输出所述磁阻效应元件检测到的所述电阻值的变化。