发明名称 非挥发性记忆体之第一层间介电堆叠
摘要
申请公布号 TWI440088 申请公布日期 2014.06.01
申请号 TW097112428 申请日期 2008.04.03
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 欧鲁邦米O 艾迪杜杜;克里斯多夫B 亨德里;保罗A 英格索;克雷格T 史威特
分类号 H01L21/31;H01L29/788 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国