发明名称 |
基于溶液法实现的自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列 |
摘要 |
一种自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列的制备方法,通过将背面溅射有金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板作为CIGS生长基底,浸入以铜、铟、镓和硒离子的混合液作为铜铟镓硒生长液中使得铜铟镓硒在CIGS生长基底上自组装生长,经退火后得到三维纳米结构的CIGS材料。本发明丰富了纳米结构CIGS的制备方法,为以后进一步制备高效率,大面积,低功耗,低成本的纳米太阳能电池和p-n结器件研究提供了材料支持。制备方法相对简单,不需要需昂贵的真空设备,对周围环境没有特殊要求,适宜工业普及。 |
申请公布号 |
CN103824898A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201410062013.1 |
申请日期 |
2014.02.24 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
马荔;张彬;周桃;郑茂俊 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C25D11/12(2006.01)I;C25D11/08(2006.01)I;C25D11/10(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理;王锡麟 |
主权项 |
一种自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,将背面溅射有金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板作为CIGS生长基底,浸入以铜、铟、镓和硒离子的混合液作为铜铟镓硒生长液中使得铜铟镓硒在CIGS生长基底上自组装生长,经退火后得到三维纳米结构的CIGS材料;所述的金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板包括:低场草酸氧化铝模板和高场磷酸氧化铝模板。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |