| 发明名称 | GaAsP纳米结构的Ga辅助的生长、不含金的GaAsP纳米结构及包含该纳米结构的光伏电池 | ||
| 摘要 | 本申请公开了用于使用镓辅助的（Ga辅助的）蒸气-液体-固体（VLS）生长，即不需要金催化剂颗粒，制造磷砷化镓（GaAsP）纳米结构的技术。所得到的Ga辅助的GaAsP纳米结构是不含金颗粒的，这使它们对于光电应用是有用的，例如作为太阳能电池中的结。Ga辅助的GaAsP纳米结构可以被制造为具有在1.6至1.8eV的范围内（例如在以及约1.7eV）的带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN103828055A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201280047158.3 | 申请日期 | 2012.07.17 |
| 申请人 | 盖斯普太阳能公司 | 发明人 | 马丁·奥格森;亨里克·英厄斯莱乌·约根森;耶珀·维尔斯特鲁普·霍尔姆;莫顿·舒尔德莫斯 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 周靖;郑霞 |
| 主权项 | 一种不含Au的GaAsP纳米结构，其来源于Ga辅助的生长。 | ||
| 地址 | 丹麦海泽胡瑟讷 | ||