一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法

摘要

一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法通过建立被重离子入射的晶体管的器件模型、求解半导体器件数值计算模型方程以获取器件模型的I-V特性曲线、开展器件模型的I-V特性校准、对半导体器件数值计算模型添加重离子导致的单粒子效应物理模型、通过数值计算获取不同栅宽晶体管在不同重离子LET值和不同漏极偏置下的漏极瞬态电流随时间的变化曲线；根据变化曲线建立晶体管单粒子瞬态特性数据库、利用电路仿真程序的Verilog-A模块完成晶体管单粒子瞬态特性数据库与电路模型之间的数据交换等步骤实现单粒子瞬态效应注入，较好地改进了器件/电路混合仿真耗时长和收敛难的问题。

主权项

一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法，该方法包括以下步骤：A】建立被重离子入射的晶体管的器件模型；B】求解半导体器件数值计算模型方程以获取器件模型的I‑V特性曲线；C】开展器件模型的I‑V特性校准；D】对半导体器件数值计算模型添加重离子导致的单粒子效应物理模型；其特征在于：E】通过数值计算获取不同栅宽晶体管在不同重离子LET值和不同漏极偏置下的漏极瞬态电流随时间的变化曲线；F】根据变化曲线建立晶体管单粒子瞬态特性数据库；G】利用电路仿真程序的Verilog‑A模块完成晶体管单粒子瞬态特性数据库与电路模型之间的数据交换，实现单粒子瞬态效应注入，所述步骤F的具体步骤如下：将不同栅宽晶体管在不同重离子LET值和不同漏极偏置下的漏极瞬态电流随时间的变化曲线的数据提取，建立以晶体管栅宽、重离子LET值、漏极偏压和时间为自变量，漏极瞬态电流为因变量的离散函数，借此表征晶体管的瞬态特性，这里将该离散函数取名晶体管单粒子瞬态特性数据库；所述单粒子瞬态特性数据库所包含的参数有：晶体管栅宽、重离子LET值、晶体管漏极偏压、时间和单粒子瞬态电流。