发明名称 |
碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管 |
摘要 |
本发明涉及碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管。公开了一种碳纳米管场效应晶体管。该碳纳米管场效应晶体管包括:第一碳纳米管膜;耦合到所述第一碳纳米管膜的第一栅极层以及与所述第一栅极层相对并耦合到所述第一栅极层的第二碳纳米管膜。所述第一栅极层配置成影响所述第一碳纳米管膜中的电场以及影响所述第二碳纳米管膜的电场。源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到所述第一和第二碳纳米管膜并且通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开。 |
申请公布号 |
CN103824778A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201310572051.7 |
申请日期 |
2013.11.13 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
A·D·富兰克林;J·T·史密斯;G·S·图勒夫斯基 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;张亚非 |
主权项 |
一种形成碳纳米管场效应晶体管的方法,包括:形成第一碳纳米管膜;将第一栅极层耦合到所述第一碳纳米管膜的表面以影响所述第一碳纳米管膜的电场;将第二碳纳米管膜耦合到所述第一栅极层,其中所述第一栅极层影响所述第二碳纳米管膜的电场;以及将源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开的所述第一碳纳米管膜。 |
地址 |
美国纽约 |