| 发明名称 | 通过化学气相沉积生产硅的反应器和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了通过化学气相沉积（CVD）制造硅的反应器，该反应器包括：反应器主体，其可在可操作地布置于反应器的旋转设备的帮助下围绕轴线旋转；至少一个侧壁，其围绕反应器主体；反应气体的至少一个入口；残余气体的至少一个出口；和至少一个加热器具，其可操作地布置于反应器。反应器的特征在于，在通过CVD制造硅的操作过程中，反应器包括在至少一个侧壁的内部上的颗粒层。 | ||
| 申请公布号 | CN103827030A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201280046615.7 | 申请日期 | 2012.09.25 |
| 申请人 | 戴纳泰克工程有限公司 | 发明人 | 沃纳·O·菲尔特维特;约瑟夫·菲尔特维特 |
| 分类号 | C01B33/027(2006.01)I;C01B33/029(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I;C01B33/035(2006.01)I;C23C16/01(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 高瑜;郑霞 |
| 主权项 | 一种通过化学气相沉积（CVD）制造硅的反应器，所述反应器包括：反应器主体，其能够在可操作地布置于所述反应器的旋转设备的帮助下围绕轴线旋转；至少一个侧壁，其围绕所述反应器主体；反应气体的至少一个入口；残余气体的至少一个出口；和至少一个加热器具，其可操作地布置于所述反应器，其特征在于，在通过CVD制造硅的操作过程中，所述反应器包括在至少一个侧壁的内部上的颗粒层。 | ||
| 地址 | 挪威阿希姆 | ||