| 发明名称 | 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103820767A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201310736927.7 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 端伟元;邱羽;俞健;卞剑涛;刘正新 |
| 分类号 | C23C14/58(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||