发明名称 |
制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法 |
摘要 |
一种纳米材料制备技术领域的制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法,所用的锡源为氯化亚锡,硫源为硫代乙酰胺,螯合剂为三乙醇胺,采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中,再加入氨水调节PH,加入硫源后,最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入,得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜,再插入玻璃片,进行溶剂热原位反应,即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明方法简单,成本低,阵列均一,纳米片厚度为4~8nm,长度约为150~210nm,这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。 |
申请公布号 |
CN103819098A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201410098257.5 |
申请日期 |
2014.03.17 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
毕恩兵;陈汉;韩礼元 |
分类号 |
C03C17/22(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理;王锡麟 |
主权项 |
一种制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法,其特征在于,将锡源与硫源混合于水/乙二醇混合溶剂中配制出SnS前体化学反应溶液,再将导电基底快速置于盛放SnS前体化学反应溶液的聚四氟乙烯反应釜内并进行原位溶剂热反应,使得厚度为30±5nm,长度为200~300nm的硫化亚锡纳米片阵列薄膜均匀生长于导电基底的表面;所述的原位溶剂热反应是指:将聚四氟乙烯反应釜密封后置于马弗炉中加热至100℃~240℃并反应2h~120h;所述的锡源为氯化亚锡,所述的硫源为硫代乙酰胺。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |