半导体沟槽结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构；刻蚀所述第一窗口中的鸟嘴结构及其下方的半导体衬底，形成第二窗口；去除所述第二介质层和第一介质层，形成第三窗口；在所述第三窗口及半导体衬底表面进行修复层生长，接着去除生长的修复层，形成沟槽；在所述沟槽及半导体衬底表面形成氧化层。由于所述鸟嘴结构的存在，将得到形貌良好、圆滑的沟槽，从而能够在此沟槽内得到厚度均匀的氧化层，改善了半导体器件的特性，保证半导体器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种半导体沟槽结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构；刻蚀所述第一窗口中的鸟嘴结构及其下方的半导体衬底，形成第二窗口；去除所述第二介质层和第一介质层，形成第三窗口；在所述第三窗口及半导体衬底表面进行修复层生长，接着去除生长的修复层，形成沟槽；在所述沟槽及半导体衬底表面形成氧化层。