发明名称 反应腔装置及具有其的基片处理设备
摘要 本发明提出一种反应腔装置,包括:腔室本体,腔室本体内限定有反应腔室;多个托盘,多个托盘设置在反应腔室之中且可绕中心轴转动;和整流片,所述多个托盘之间间隔设置所述整流片,且整流片位置固定不动。本发明还提出一种基片处理设备。通过本发明实施例提出的反应腔装置,可有效地增强托盘的温度补偿效果,提高托盘的温度均匀性。通过本发明实施例提出的基片处理设备,可使基片表面温度更加均匀,进而提高基片的成膜工艺指标。
申请公布号 CN102796992B 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201110141309.9 申请日期 2011.05.27
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 周卫国
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 张大威
主权项 一种反应腔装置,其特征在于,包括:腔室本体,所述腔室本体内限定有反应腔室;多个托盘,所述多个托盘设置在所述反应腔室之中且可绕中心轴转动;和整流片,所述多个托盘之间间隔设置所述整流片,且所述整流片位置固定不动,所述整流片与所述托盘在上下方向上相对。
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