| 发明名称 | 具有选择性形成的金属罩的集成电路结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了形成使用在栅极之上的选择性形成的且至少部分氧化的金属罩的集成电路结构的方法，以及相关的结构。在一种实施例中，方法包括：提供包括晶体管的前体结构，晶体管具有金属栅极；在金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层；至少部分氧化止蚀层；并且在至少部分氧化止蚀层之上形成介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103828026A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201280044778.1 | 申请日期 | 2012.06.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杨智超;D·V·霍拉克;查尔斯·W·库布尔格三世;P·邵姆 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：提供包括晶体管（6）的前体结构，所述晶体管具有金属栅极（8）以及与所述金属栅极相邻的间隔物（14）；在所述金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层（18）；至少部分氧化（20）所述止蚀层；以及在所述至少部分氧化的止蚀层之上形成介电层（22）。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||