发明名称 |
一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法,包括预氧化沉积、第一次沉积、第二次沉积、后处理和推进五个步骤,其中第一次沉积:在740~840℃条件下,通入反应气体POCl<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述POCl<sub>3</sub>和O<sub>2</sub>气体流量比为1:1~12,所述N<sub>2</sub>流量为3~20slm,沉积1~20min,在预沉积的基础上沉积一层均匀的磷源层;第二次沉积:在760~860℃条件下,通入反应气体POCl<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述POCl<sub>3</sub>和O<sub>2</sub>气体流量比为1:1~9,所述N<sub>2</sub>流量为3~30slm,沉积3~30min,在第一层磷源层上再沉积第二层均匀的磷源层。本发明有利于形成优良的低表面浓度发射极,且成本低。 |
申请公布号 |
CN103824899A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201410066919.0 |
申请日期 |
2014.02.27 |
申请人 |
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
发明人 |
吴晓钟;廖明墩;刘自龙;王学林;郑旭然;郭俊华 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
吴关炳 |
主权项 |
一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法,其特征在于,包括预氧化沉积、第一次沉积、第二次沉积、后处理和推进五个步骤,具体步骤如下:(1)预氧化沉积:在750~830℃条件下,通入反应气体POCl<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述POCl<sub>3</sub>和N<sub>2</sub>气体流量比为1:3~25;所述O<sub>2</sub>流量为300~3000sccm,预沉积1~20min,在已清洗制绒的硅片表面沉积一层磷硅玻璃层;(2)第一次沉积:在740~840℃条件下,通入反应气体POCl<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述POCl<sub>3</sub>和O<sub>2</sub>气体流量比为1:1~12,所述N<sub>2</sub>流量为3~20slm,沉积1~20min,在预沉积的基础上沉积一层均匀的磷源层;(3)第二次沉积:在760~860℃条件下,通入反应气体POCl<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述POCl<sub>3</sub>和O<sub>2</sub>气体流量比为1:1~9,所述N<sub>2</sub>流量为3~30slm,沉积3~30min,在第一层磷源层上再沉积第二层均匀的磷源层;(4)后处理:在760~860℃条件下,通入反应气体N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述O<sub>2</sub>流量为100~8000sccm,所述N<sub>2</sub>流量为3~30slm,持续时间为1~20min,形成扩散推进缓冲层;(5)推进:在800~900℃条件下,通入反应气体N<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>,所述O<sub>2</sub>流量为30~6000sccm,持续时间为6~60min,形成低表面浓度发射极。 |
地址 |
314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号 |