一种制作复合半导体薄膜材料的方法

摘要

本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO₃靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO₃薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO₃和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度H₂S气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对H₂S气体的灵敏度与选择性。

主权项

一种制作复合半导体薄膜材料的方法，其特征在于，该方法包括:步骤1:采用光刻胶将基片上用于制作敏感膜的区域外的部分盖上;步骤2:采用镀膜技术，将WO₃靶材料蒸发至基片表面形成WO₃膜;步骤3:采用镀膜技术在淀积有WO₃膜的基片上淀积一层Au膜;步骤4:采用镀膜技术在淀积有WO₃膜和Au膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜;步骤5:去除光刻胶，并封装;其中，步骤1中所述敏感膜为WO₃膜、Au膜和碳纳米管薄膜三层薄膜。