发明名称 用于烧结碳化硅陶瓷膜的专用陶瓷材料
摘要 本发明公开了一种用于烧结碳化硅陶瓷膜的专用陶瓷材料,选用原位合成高纯6H-SiC结晶砂为原料加工而成:首先将原料粉碎整形,得到60-350微米、圆形度大于0.93的颗粒料;采用负压引风、分级自动化控制系统,再次整形后得到160-280微米、圆形度大于0.95颗粒料;利用全自动振动筛,对颗粒料进行二次分级,得到170-230微米的颗粒料;物理除磁、水洗精分后得到170-190微米、190-230微米、圆形度大于0.95的合格微粉料。采用该材料烧结的碳化硅陶瓷膜可用于多种介质的精密过滤、浓缩与气体分离;耐酸碱性好,机械强度高;具有良好的耐急热急冷性能;陶瓷膜自身清洁状态好,可适用于无菌处理操作;陶瓷膜使用寿命长,便于清洗再利用。
申请公布号 CN103819194A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201410002513.6 申请日期 2014.01.04
申请人 河南晟道科技有限公司 发明人 杨东平
分类号 C04B35/565(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I 主分类号 C04B35/565(2006.01)I
代理机构 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 代理人 韩华
主权项 一种用于烧结碳化硅陶瓷膜的专用陶瓷材料,其特征在于:包括下述加工步骤:第一步,原料选取:选用原位合成高纯6H‑SiC结晶砂为原料,所述高纯6H‑SiC结晶砂中的碳化硅含量≥99%,莫氏硬度 9.3‑9.5,韧性值≥70%;第二步,粉碎整形颗粒:将上述原料入数控球磨机进行粉碎整形:控制给料速度2000kg/h,磨体转速28r/min,研磨介质球配Φ20:Φ30= 8:2;粉碎整形20‑25分钟,得到D50 值60‑350微米、圆形度大于0.93的颗粒料;第三步,气流整形及一次分级:采用负压引风、分级自动化控制系统,控制给料1300kg/h,转速25‑30 r/min,引风量8000‑10000m<sup>3</sup>/h,再次整形后得到D50 值160‑280微米、圆形度大于0.95颗粒料;第四步,筛分二次分级:利用全自动直线振动筛,通过多层筛网对第三步得到的颗粒料进行二次分级,得到D50 值170‑230微米的颗粒料;第五步,物理除磁:利用物理磁选的方法除去第四步得到的颗粒料中的磁性物,使颗粒料中的含铁量≤0.1%;第六步,水洗精分:采用溢流沉降方式,将第五步的颗粒料再次分级,得到圆形度大于0.95,D50 值分别为170‑190微米和190‑230微米的两种合格微粉料;第七步,脱水:将第六步得到的两种合格微粉料分别打入离心机中,调节离心机转速3000r/min,使微粉含水量<10%;第八步,烘干、包装:将第七步脱水后的两种微粉烘干至水分<0.1%后,即可得到两种专用的陶瓷材料成品,将其分别包装入库即可。
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