发明名称 |
抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器 |
摘要 |
本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器,目的是解决可置位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、置位缓冲电路,主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联,并均与时钟电路和置位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连,从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C<sup>2</sup>MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管,提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误,且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。 |
申请公布号 |
CN103825581A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201310671683.9 |
申请日期 |
2013.12.11 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
梁斌;万鸿;姚龙;陈书明;郭阳;李振涛;孙永节;池雅庆;陈建军;刘祥远 |
分类号 |
H03K3/3562(2006.01)I |
主分类号 |
H03K3/3562(2006.01)I |
代理机构 |
国防科技大学专利服务中心 43202 |
代理人 |
郭敏 |
主权项 |
抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器,包括时钟电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路,其特征在于抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器还包括缓冲器电路、置位缓冲电路;主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器;主锁存器和从锁存器前后串联,并均与时钟电路和置位缓冲电路连接;主锁存器还与缓冲器电路相连,从锁存器还与输出缓冲电路相连;有三个输入端和一个输出端;三个输入端分别是时钟信号输入端CK、数据信号输入端D和置位信号输入端SN;输出端是Q。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 |