发明名称 一种纳米缝的模板对准压印制备工艺
摘要 一种纳米缝的模板对准压印制备工艺,先进行刚性衬底、柔性材料以及刚性材料三层结构的制备,然后采用模板进行对准压印,根据不同的纳米缝结构制备相应的压印模板,采用对准工艺使模板在需要产生纳米缝的位置处施加外在压力进行压印,最后利用第二平板二次对准施压,使断裂错位的薄膜材料上的纳米缝对齐,进一步减小纳米缝的间距,采用纳米缝的模板对准压印,导致柔性材料层变形,顶层刚性材料薄膜断裂,形成单个纳米缝或是纳米缝阵列,可以有效的突破常规纳米缝制备工艺中复杂的工艺流程以及昂贵的加工设备,能够低廉地制备纳米缝结构,可以广泛地应用在SED显示器以及分子器件等方面。
申请公布号 CN102320554B 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201110191568.2 申请日期 2011.07.11
申请人 西安交通大学 发明人 邵金友;丁玉成;刘红忠;田洪淼;李祥明;李欣
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 贺建斌
主权项 一种纳米缝的模板对准压印制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:第一步,进行刚性衬底、柔性材料以及刚性材料三层结构的制备,刚性衬底位于底层,柔性材料位于中间层,刚性材料位于顶层,刚性衬底为熔融玻璃或金属板,柔性材料为SU8胶或环氧树脂,刚性材料为厚度是纳米级别的金属材料或半导体材料,根据单一纳米缝制备以及纳米缝阵列结构制备,顶层的刚性材料层分为均一层或图形化层,均一层是一个整体层,不存在图形化结构,一次压印形成一个纳米缝;图形化层采用光刻、刻蚀工艺形成一定的图形结构,一次压印形成纳米缝阵列,第二步,采用模板进行对准压印,根据不同的纳米缝结构制备相应的压印模板,采用对准工艺使模板在需要产生纳米缝的位置处施加外在压力进行压印,单一纳米缝工艺仅需要第一平板,利用对准工艺保证平板边缘与产生纳米缝的位置处相平行,施压压印,即可在预期位置得到单一的纳米缝结构;纳米缝阵列结构制备中,压印模板为图形化模板,模板凸起与欲产生纳米缝位置对准,施压压印,可以得到阵列纳米缝结构,第三步,利用第二平板二次对准施压,利用第二平板对整个顶层刚性材料薄膜纳米缝结构图形区施加压力,使断裂错位的薄膜材料上的纳米缝对齐,进一步减小纳米缝的间距。
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
您可能感兴趣的专利