发明名称 在衬底上利用离子束以及可变孔隙来进行离子注入的方法
摘要 本发明提供一种在一衬底上利用一离子束以及一可变孔隙来进行离子注入的方法,用以先改变离子束形状,特别是在衬底附近改变离子束的最终形状,然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此,衬底的不同部分或是不同的衬底,可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下,分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说,不需要高成本与复杂的操作步骤,即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外,相较于现有技术,由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成,故能加速离子束调整过程,以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
申请公布号 CN103824744A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201410083952.4 申请日期 2011.03.17
申请人 汉辰科技股份有限公司 发明人 万志民;约翰·D·波拉克;唐·贝瑞安;任克川
分类号 H01J37/317(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 徐洁晶
主权项 一种在一衬底上利用一离子束以及一可变孔隙来进行离子注入的方法,所述方法包括:提供一衬底,所述衬底因为一在先沉积工艺而具有非均匀特性;根据所述非均匀特性来决定用于所述衬底的一第一部分的一第一离子束参数以及用于所述衬底的一第二部分的一第二离子束参数,其中所述第一部分不同于所述第二部分,并且所述第一离子束参数不同于所述第二离子束参数;产生所述离子束,并且将产生的所述离子束导引至所述可变孔隙;利用所述可变孔隙来改变所述离子束的形状,以形成具有所述第一离子束参数的一第一成形后离子束,并且将所述第一成形后离子束应用于所述衬底的所述第一部分;以及利用所述可变孔隙来改变所述离子束的形状,以形成具有所述第二离子束参数的一第二成形后离子束,并且将所述第二成形后离子束应用于所述衬底的所述第二部分。
地址 美国加利福尼亚州