半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其技术要点如下：在具有绝缘表面的同一衬底上形成有半导体层的膜厚度不相同的多种薄膜晶体管。通过将被要求高速工作的薄膜晶体管的半导体层的沟道形成区薄膜化，使该半导体层的沟道形成区的膜厚度薄于被要求对电压的高耐压性的薄膜晶体管的半导体层的沟道形成区，使沟道形成区的膜厚度变薄。而且，被要求高速工作的薄膜晶体管的栅极绝缘层的膜厚度可以薄于被要求对电压的高耐压性的薄膜晶体管的栅极绝缘层。

主权项

一种半导体装置，包括：包括存储单元阵列和驱动电路部的存储器，该存储单元阵列包括第一薄膜晶体管，该驱动电路部包括第二薄膜晶体管，其中，所述存储单元阵列和所述驱动电路部设置在具有绝缘表面的衬底上，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅电极层；包括第一源区、第一漏区及第一沟道形成区的第一半导体层；在所述第一半导体层的侧面上的第一绝缘层；以及覆盖所述第一半导体层和所述第一绝缘层的第一栅极绝缘层，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅电极层；包括第二源区、第二漏区及比所述第一沟道形成区薄的第二沟道形成区的第二半导体层；在所述第二半导体层的侧面上的第二绝缘层；以及覆盖所述第二半导体层和所述第二绝缘层的第二栅极绝缘层。