| 摘要 |
<p>Halbleitervorrichtung (1) mit: einem elektrisch leitenden Teil (2), einer ersten Schaltvorrichtung (3), welche auf dem elektrisch leitenden Teil (2) angeordnet und mit dem elektrisch leitenden Teil (2) elektrisch verbunden ist und eine Spannungsfestigkeit zwischen einer Vorderseite und einer Rückseite als eine erste Spannungsfestigkeit aufweist, einer integrierten Schaltung mit hoher Rückseiten-Spannungsfestigkeit (4), welche auf dem elektrisch leitenden Teil (2) getrennt von der ersten Schaltvorrichtung (3) vorgesehen ist, eine Steuerschaltung (15) zum Steuern des Anschaltens/Abschaltens der ersten Schaltvorrichtung (3) enthält und eine Spannungsfestigkeit zwischen einer Vorderseite und einer Rückseite als eine zweite Spannungsfestigkeit aufweist, welche höher ist als die erste Spannungsfestigkeit, einem isolierenden Substrat (5), welches auf dem elektrisch leitenden Teil (2) getrennt von der ersten Schaltvorrichtung (3) und der integrierten Schaltung mit hoher Rückseitenspannungsfestigkeit (4) vorgesehen ist; einer Eingangs-/Ausgangsverdrahtung (7a, 7b), welche mit dem isolierenden Substrat (5) verbunden ist, einer ersten Verdrahtung (8a), welche das isolierende Substrat (5) und die erste Schaltvorrichtung (3) verbindet und einer zweiten Verdrahtung (8b), welche das isolierende Substrat (5) und die integrierte Schaltung mit hoher Rückseitenspannungsfestigkeit (4) verbindet.</p> |
