制造多晶硅的方法

摘要

本发明涉及多晶硅制造方法。本发明的方法包括通过管道系统向还原反应器供应基于含硅气体的气体混合物，并以形成流出物气体混合物的方式将硅沉淀在加热的表面上。硅沉淀过程基本在至少两个反应器中进行，所述反应器通过用于传输气体混合物的管道系统串联。然后，在进口处将用于所有反应器操作的气体混合物供应到第一反应器中，所述气体混合物连续传递通过所有串联的反应器。

主权项

1.多晶硅制造方法，其包括：通过管道系统将包括含硅气体的气体混合物供应到反应器中；加热反应器中的主体，使硅沉积在这些主体的表面上，在反应器容积中形成输出的气体混合物；同时使用至少两个反应器进行硅沉积；除了最后一个反应器外，前一反应器的出口通过管道系统与后一反应器的进口一个接一个地连接；在普通制造过程中，将所有用于反应器的进料气体混合物传输通过这些反应器，从第一反应器开始，到最后一个反应器结束；通过下式确定含硅气体进入第一反应器Q的流速：$\underset{1}{\overset{n}{\Sigma }}{Q}_i\le Q\le 1.5\underset{1}{\overset{n}{\Sigma Q_i,}}$其中Q_i是第i个反应器为单独模式时需要的气体流速，n是连接的反应器的数量。