| 发明名称 | Ge-Sb-Te化合物纳米材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种Ge-Sb-Te化合物纳米材料的制备方法，包括以下步骤：将气相Ge、Sb、Te用载气输送到以金颗粒或金膜作为催化剂的基体上，在基体上沉积生长。本发明提供的制备方法，能够制备出高质量的Ge-Sb-Te化合物纳米棒和纳米线，制得的纳米棒和纳米线结晶完好，密度较高，直径均齐。 | ||
| 申请公布号 | CN102453860B | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201010526925.1 | 申请日期 | 2010.10.19 |
| 申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 孙旭辉;李洋 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种Ge‑Sb‑Te化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将气相Ge、Sb、Te用载气输送到以金颗粒或金膜作为催化剂的基体上，在基体上沉积生长，所述金颗粒的粒径为2nm～100nm。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 | ||