超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法

摘要

一种超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、掺杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层紧密相连；上电极层有一个窗口，上、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到超纯本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从超纯本征砷化镓层中通过窗口辐射出来。本发明结构简单，使用方便，不但得到了频谱宽度大于4太赫兹、脉冲宽度约1皮秒的太赫兹电磁波，而且通过增加光电导偶极芯片两电极之间的外加电压，可以调控所辐射太赫兹电磁场的强度。

主权项

一种超纯本征砷化镓材料的m‑i‑n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，其特征在于：自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、掺杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层之间紧密相连；上电极层设置有一个窗口，上电极层、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到超纯本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从超纯本征砷化镓层中通过窗口辐射出来。