混合光学和电子束光刻制造层的共对准的沟槽结构及方法

摘要

本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。

主权项

一种制造集成电路芯片的方法，包括：在半导体衬底的顶表面上形成第一垫层；在所述第一垫层的顶表面上形成硬掩模层；在所述硬掩模层中蚀刻开口，所述第一垫层的所述顶表面暴露于所述开口的底部；在所述衬底上相对于所述集成电路芯片的平面布局将第一沟槽定位在第一位置，穿过所述第一垫层蚀刻所述第一沟槽至所述衬底中，所述第一沟槽为电子束对准目标；去除所述硬掩模层和所述第一垫层；在所述衬底的所述顶表面上以及所述第一沟槽的侧壁和底表面上形成第二垫层；在所述衬底上相对于所述集成电路芯片的所述平面布局将一个或多个第二沟槽分别定位在一个或多个第二位置，以及穿过所述第二垫层蚀刻所述一个或多个第二沟槽至所述衬底中，所述第二沟槽为光学对准目标；用绝缘体至少部分填充所述第一沟槽并完全填充所述一个或多个第二沟槽；以及从所述第一沟槽去除所述绝缘体，其中所述第一沟槽从所述衬底的所述顶表面延伸的第一距离大于所述一个或多个第二沟槽从所述衬底的所述顶表面延伸至所述衬底中的第二距离。