一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法

摘要

本发明公开了一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法，通过采用110晶向底硅作为晶片结构的底硅，采用湿法腐蚀方式腐蚀底硅背腔形成凹槽，使得硅片内均匀性较好，底硅表面的划伤较小，根据110晶向底硅的晶向特点，腐蚀形成的凹槽一般为直口，横截面为矩形结构，避免出现腐蚀倾斜角度，使得凹槽的开口处的尺寸与底部的尺寸大小一致，不会造成晶片的面积增加等问题，从而降低了生产成本。

主权项

一种压力传感器用晶片结构，其特征在于，包括依次设置的底硅、氧化层、顶硅以及半导体元件，所述底硅为110晶向底硅，所述底硅的底部设置有凹槽，所述凹槽的位置及开口大小与所述半导体元件相对应，所述凹槽的深度等于所述底硅的厚度。