发明名称 |
Flash存储器的高效率存储方法 |
摘要 |
本发明Flash存储器的高效率存储方法,属于Flash存储器的数据存储方法的技术领域;解决的技术问题为:提供一种在数据量小和数据存储次数较频繁的情况下,能够使存储器的存储效率较高的Flash存储器的高效率存储方法;采用的技术方案为:Flash存储器的高效率存储方法,以块为单位将Flash存储器划分为不同的数据存储区域,再将每个数据存储区域均划分为多个缓冲块和多个数据块,其中,每个缓冲块又分为多个缓冲页,每个数据块又分为多个数据页,当接收到数据后,先将数据写入相应的数据存储区域中缓冲块的缓冲页中,当缓冲页写满后再将本页的数据存储至数据块的数据页中;适用于消防数据存储领域。 |
申请公布号 |
CN103823766A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201410074366.3 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
山西科泰微技术有限公司 |
发明人 |
毛应龙;曹璟华;徐衍胜;张建中 |
分类号 |
G06F12/08(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/08(2006.01)I |
代理机构 |
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 |
代理人 |
崔雪花 |
主权项 |
Flash存储器的高效率存储方法,其特征在于:以块为单位将Flash存储器划分为不同的数据存储区域,再将每个数据存储区域均划分为多个缓冲块和多个数据块,其中,每个缓冲块又分为多个缓冲页,每个数据块又分为多个数据页,当接收到数据后,先将数据写入相应的数据存储区域中缓冲块的缓冲页中,当缓冲页写满后再将本页的数据存储至数据块的数据页中,具体包括以下步骤:(1.1)接收数据;(1.2)将数据写入缓冲块的缓冲页;(1.3)判断缓冲块的缓冲页是否写满;(1.4)如已写满,则进入步骤(1.5),否则,进入步骤(1.8);(1.5)将缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至数据块的数据页;(1.6)擦除整个缓冲块的内容;(1.7)缓冲块地址+1,缓冲页地址置0,数据页地址+1,然后返回步骤(1.1);(1.8)将缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至当前缓冲页,缓冲页地址+1,最后返回步骤(1.1)。 |
地址 |
030006 山西省太原市高新技术开发区数码路3号 |