| 发明名称 | 石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法，所述刻蚀方法包括：在多晶硅层表面形成光刻胶掩膜层；采用C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>以及SF<sub>6</sub>对多晶硅层进行干法刻蚀，形成设定深度和高度的沟槽；其中，所述C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>的流量是SF<sub>6</sub>的流量1.5-2.5倍，所述SF<sub>6</sub>的流量为40sccm-50sccm。采用所述刻蚀方法可以防止由于钝化膜过薄导致侧面过刻蚀以及防止由于钝化膜过厚导致侧面刻蚀不足，保证了刻蚀沟槽侧表面具有较好的垂直性和光滑性。 | ||
| 申请公布号 | CN103820863A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201410065465.5 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 四川飞阳科技有限公司 | 发明人 | 柳进荣;李朝阳 |
| 分类号 | C30B33/12(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种石英衬底上多晶硅的刻蚀方法，其特征在于，包括：在多晶硅层表面形成光刻胶掩膜层；采用C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>以及SF<sub>6</sub>对多晶硅层进行干法刻蚀，形成设定深度和高度的沟槽；其中，所述C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>的流量是SF<sub>6</sub>的流量1.5‑2.5倍，所述SF<sub>6</sub>的流量为40sccm‑50sccm。 | ||
| 地址 | 610209 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区长城路一段185号 | ||