使用双端非易失性存储器的现场可编程门阵列

摘要

本发明提供一种使用电阻型随机存取存储器（RRAM）技术的现场可编程门阵列（FPGA）。通过例示，该FPGA可以包括开关块互连件，该开关块互连件具有与垂直的信号输出线相交叉的平行信号输入线。RRAM存储单元可以形成在信号输入线与信号输出线的相应交点处。该RRAM存储单元可以包括分压器，该分压器包括被布置成横跨FPGA的VCC和VSS电串联的多个可编程电阻元件。该分压器的共同节点驱动传输门晶体管的栅极，该传输门晶体管被配置成对该交点进行激活和失活。所公开的RRAM存储器可以提供高的晶体管密度、高的逻辑利用率、快速的编程速度、辐射免疫、快的上电以及对于FPGA技术的显著益处。

主权项

一种现场可编程门阵列（FPGA），包括：开关块路由阵列，其由一组信号输入线和一组信号输出线组成；以及电阻型随机存取存储器（RRAM）配置单元，包括一个或多个晶体管元件以及多个电阻元件，被用在该组信号输入线中的一个信号输入线与该组信号输出线中的一个信号输出线的结点处，其中所述多个电阻元件被配置为经动态编程以启用或禁用从该一个信号输入线到该一个信号输出线的信号传输。