| 发明名称 | 用于晶体管栅极的帽盖介电结构 | ||
| 摘要 | 本说明书涉及用于微电子器件的微电子晶体管、包括非平坦晶体管的制造领域。本说明书的实施方案涉及形成凹进的栅极电极，所述栅极电极被基本上没有空洞的介电体帽盖介电结构所覆盖，该结构可以用高密度等离子方法形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103828057A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201180073809.1 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | A·W·罗森鲍姆;D-H·梅伊;S·S·普拉丹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东;谭邦会 |
| 主权项 | 一种晶体管栅极，其包括：栅极间隔体对，布置在栅极间隔体对之间的凹进的栅极电极；以及基本上没有空洞的帽盖介电结构，所述结构布置在邻近于凹进的栅极电极，并且在栅极间隔体对之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||