发明名称 |
一种小容量SD卡的读写方法 |
摘要 |
本发明公开了一种小容量SD卡,其特征在于:采用Norflash做为SD卡的存储介质,在SD卡上运行有驱动程序,所述驱动程序包括块数据整理模块和块数据擦除模块,在时间超过的块数据整理模块和块数据擦除模块中插入SD读写扇区要求功能函数,并设置一临时区域,将Norflash块中的擦除总时间平均分成m段,分段进行擦除,其中m≥16,在分段擦除过程中,部分段与段之间运行SD读写扇区要求功能函数,将本次的写扇区要求保存到临时区域,等到下一次写操作开始时,再次处理临时区域中未写入的数据。本发明的SD卡,以Norflash做为存储介质,合理配置读写操作与擦除操作的时间,满足了客户的小文件读写要求。 |
申请公布号 |
CN102013031B |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201010593185.3 |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
苏州国芯科技有限公司 |
发明人 |
郑茳;肖佐楠;匡启和;王廷平;聂智 |
分类号 |
G06K19/07(2006.01)I |
主分类号 |
G06K19/07(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
董建林;许婉静 |
主权项 |
一种小容量SD卡的读写方法,其特征在于:采用Norflash做为SD卡的存储介质,在SD卡上运行有驱动程序,所述驱动程序包括块数据整理模块和块数据擦除模块,在运行时间超过60ms的块数据整理模块和块数据擦除模块中插入SD读写扇区要求功能函数,并设置一临时区域,将Norflash块中的擦除总时间平均分成m段,分段进行擦除,其中m≥16,在分段擦除过程中,部分段与段之间运行SD读写扇区要求功能函数,将本次的写扇区要求保存到临时区域,等到下一次写操作开始时,再次处理临时区域中未写入的数据,块数据整理模块和块数据擦除模块的运行时间大于6<b>0</b>ms且小于100ms时进入SD读命令响应,运行时间大于100ms且小于250ms时进入SD写命令响应,当操作未写入的数据时,如果又发生了擦除或其他长时间的操作,再次将数据写入临时区域。 |
地址 |
215011 江苏省苏州市苏州新区竹园路209号创业园3号楼2301 |