一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法。本发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，通过对等离子体氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀工艺的改进，采用稀氢氟酸湿法刻蚀非等离子体的氧化硅刻蚀工艺，并将其整合到刻蚀后的聚合物清洗工艺中，即在湿法清洗酸槽中增加DHF槽，从而达到在不增加工艺机台和步骤的情况下，实现无等离子体损伤，及氧化硅对硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺，从而减少硅衬底的刻蚀损失。

主权项

一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一具有多晶栅的硅衬底上沉积氧化硅层；步骤S2：采用等离子体干法刻蚀方法进行氧化硅层的主刻蚀工艺；步骤S3：化学清洗步骤S2产生的聚合物，并采用稀氢氟酸湿法刻蚀进行过刻蚀工艺，以去除步骤S2剩余的氧化硅层，形成栅极补偿隔离区形貌；其中，步骤S2中所述的主刻蚀工艺为非等向性刻蚀。