| 摘要 |
Sensor zur Erfassung einer physikalischen Größe, mit: einem Halbleitersubstrat (11, 87); einem Sensorelement (7, 9, 84, 85) und einer Kontaktstelle (8), die im Substrat (11, 87) angeordnet sind; und einer Kappenschicht (3, 42, 53, 63, 73), die derart auf dem Substrat (11, 87) angeordnet ist, dass ein erster Zwischenraum zwischen der Kappenschicht (3, 42, 53, 63, 73) und dem Substrat (11, 87) und ein zweiter Zwischenraum in der Kappenschicht (3, 42, 53, 63, 73) vorgesehen sind, wobei die Kappenschicht (3, 42, 53, 63, 73) direkt mit dem Substrat (11, 87) verbunden ist, die Kappenschicht (3, 42, 53, 63, 73) dem Sensorelement (7, 9, 84, 85) derart gegenüberliegt, dass das Sensorelement (7, 9, 84, 85) im ersten Zwischenraum angeordnet ist und die Kontaktstelle (8) im zweiten Zwischenraum freigelegt ist, die Kappenschicht (3, 42, 53, 63, 73) einen ersten konkaven Abschnitt (5, 44, 55, 65, 75) mit einem Boden und einen zweiten konkaven Abschnitt (6, 45, 56, 66) ohne Boden enthält, der erste konkave Abschnitt (5, 44, 55, 65, 75) dem Substrat (11, 87) derart gegenüberliegt, dass der erste Zwischenraum ausgebildet ist, der zweite konkave Abschnitt (6, 45, 56, 66) dem Substrat (11, 87) derart gegenüberliegt, dass der zweite Zwischenraum ausgebildet ist, der erste konkave Abschnitt (5, 44, 55, 65, 75) und der zweite konkave Abschnitt (6, 45, 56, 66) in Richtung senkrecht zu dem Substrat jeweils eine Tiefe aufweisen, und die Tiefe des ersten konkaven Abschnitts (5, 44, 55, 65, 75) geringer ist als die Tiefe des zweiten konkaven Abschnitts (6, 45, 56, 66), und eine Verstärkungsrippe (30) zur Verstärkung der Kappenschicht (3) auf der ersten Kappenschicht (3) und im ersten Zwischenraum angeordnet ist. |
