| 发明名称 | 高Q电感及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高Q电感及制备方法。首先，将半导体基底的一表面腐蚀成深坑状；接着，在所述半导体基底的另一表面形成支撑层；随后再在所述支撑层的表面相对于深坑的位置形成包含多层金属线圈的电感结构；最后，对已形成电感结构的基底结构进行腐蚀，来去除深坑与电感结构间的半导体基底材料，使半导体基底被掏空，由此形成的电感的Q值比传统集成电感提高了数倍；且本法工艺简单，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN103824755A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201210465578.5 | 申请日期 | 2012.11.16 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 韩梅;罗乐;徐高卫 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种制备高Q电感的方法，其特征在于，所述制备高Q电感的方法至少包括：1）将半导体基底的一表面腐蚀成深坑状；2）在所述半导体基底的另一表面形成支撑层；3）在所述支撑层的表面相对于深坑的位置形成包含多层金属线圈的电感结构；4）对已形成电感结构的基底结构进行腐蚀，来去除深坑与电感结构间的半导体基底材料，使半导体基底被掏空。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||