形成含有硅的EUV抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R¹表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R²为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)。(R²)_n2-R¹-(CH₂)_n1-si(X)₃   (1)

主权项

一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示，(R²)_n2‑R¹‑(CH₂)_n1‑Si(X)₃   式(1)式(1)中，R¹表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R²为芳香族环内的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基，n1为0或1的整数，在苯环的情况下，n2为1～5的整数，在萘环的情况下，n2为1～9的整数。