| 发明名称 | 半导体元件、HEMT元件、以及半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种反向漏电流得到抑制且二维电子气迁移率高的半导体元件。一种半导体原件具备：外延基板，在基底基板上以使（0001）结晶面大致平行于基板面的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，由具有In<sub>x1</sub>Al<sub>y1</sub>Ga<sub>z1</sub>N（x1+y1+z1=1、z1＞0）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，由具有In<sub>x2</sub>Al<sub>y2</sub>N（x2+y2=1、x2＞0、y2＞0）组成的第二III族氮化物构成；中间层，由GaN构成且邻接于所述势垒层；保护层，由AlN构成且邻接于所述中间层。其中，肖特基电极接合在所述保护层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103828030A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201280003274.5 | 申请日期 | 2012.08.10 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 杉山智彦;前原宗太;角谷茂明;田中光浩 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;洪玉姬 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其具备：外延基板，在基底基板之上以使（0001）结晶面大致平行于基板面的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极，其特征在于，所述外延基板具备：沟道层，其由具有In<sub>x1</sub>Al<sub>y1</sub>Ga<sub>z1</sub>N组成的第一III族氮化物构成，其中x1+y1+z1=1、z1＞0；势垒层，其由具有In<sub>x2</sub>Al<sub>y2</sub>N组成的第二III族氮化物构成，其中x2+y2=1、x2＞0、y2＞0；中间层，其由GaN构成且邻接于所述势垒层；保护层，其由AlN构成且邻接于所述中间层，所述肖特基电极与所述保护层接合。 | ||
| 地址 | 日本爱知县名古屋市 | ||