| 发明名称 | 用于生产半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 用于生产半导体晶片的方法，其依次包括：(a)从单晶切下的半导体晶片的同步双面材料去除加工，其中半导体晶片在两个旋转的环状工作盘之间加工，其中每个工作盘含平均粒度为5.0～20.0μm的研磨剂；(b)用碱性介质处理半导体晶片的两个面；(c)研磨半导体晶片的正面和背面，其中每一情况下半导体晶片的一面都通过晶片固定器稳固地固定，而另一面则通过研磨工具加工；其中研磨工具含平均粒度为1.0～10.0μm的研磨剂，其中研磨剂的平均粒度小于步骤(a)使用的工作盘的研磨剂的平均粒度；(d)通过含平均粒度为0.1～1.0μm的研磨剂的抛光垫抛光半导体晶片的两个面；(e)通过不含研磨剂的切削抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时提供含有研磨剂的抛光剂；(f)正面的化学机械抛光(CMP)。 | ||
| 申请公布号 | CN102169821B | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201110031231.5 | 申请日期 | 2011.01.25 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳;M·克斯坦 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于生产半导体晶片的方法，其依次包括：（a）从单晶切下的半导体晶片的同步双面材料去除加工，其中半导体晶片在两个旋转的环状工作盘之间加工，其中每个工作盘含平均粒度为5.0～20.0μm的研磨剂；（b）用碱性介质处理半导体晶片的两个面；（c）研磨半导体晶片的正面和背面，其中每一情况下半导体晶片的一面都通过晶片固定器稳固地固定，而另一面则通过研磨工具加工；其中研磨工具含平均粒度为1.0～10.0μm的研磨剂，其中研磨剂的平均粒度小于步骤（a）中使用的工作盘的研磨剂的平均粒度；（d）通过含平均粒度为0.1～1.0μm的研磨剂的抛光垫抛光半导体晶片的两个面；（e）通过不含研磨剂的切削抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时提供含有研磨剂的抛光剂；（f）正面的化学机械抛光。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||