发明名称 |
半导体发光器件 |
摘要 |
第一中间电极30是与在第一半导体层104的表面上的多个位置形成的多个电极形成分别连接的多个电极。第二中间电极40是与透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极。第一电极60将多个第一中间电极连接在一起,而第二电极70将多个第二中间电极连接在一起。透明导电膜10在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域A内形成为比其他区域内薄。 |
申请公布号 |
CN102201515B |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201110080168.4 |
申请日期 |
2011.03.25 |
申请人 |
丰田合成株式会社 |
发明人 |
出口将士;神谷真央 |
分类号 |
H01L33/32(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/32(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;吴鹏章 |
主权项 |
一种倒装芯片型半导体发光器件,包括:半透明衬底;由n型III族氮化物半导体制成并堆叠在所述半透明衬底上的第一半导体层;由p型III族氮化物半导体制成的第二半导体层;在所述第二半导体层上形成的透明导电膜;在所述透明导电膜上形成的第一绝缘保护膜;在所述第一绝缘保护膜上形成的反射体;在所述反射体上形成的第二绝缘保护膜;与所述透明导电膜的一部分的部位相连接的第二中间电极;和第一中间电极,所述第一中间电极形成在通过从所述第二半导体层一侧进行蚀刻而暴露出的所述第一半导体层的电极形成部中,而从所述半透明衬底一侧输出光,其中所述第一中间电极是与在所述第一半导体层的表面上的多个位置中形成的多个所述电极形成部分别连接的多个电极;所述第二中间电极是与所述透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极,并且提供将多个所述第一中间电极相互连接的第一电极和将多个所述第二中间电极相互连接的第二电极;在所述透明导电膜中,厚度薄的多个柱状凹形结构分散在所述第一中间电极和所述第二中间电极之间的距离最短的区域中,由此所述透明导电膜在所述第一中间电极和所述第二中间电极之间的距离最短的区域内形成为比其他区域内薄。 |
地址 |
日本爱知县 |