发明名称 |
一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的及其制造方法 |
摘要 |
本发明提出了一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的及其制造方法,该沟槽MOSFE在元胞区内和终端区内分别形成有沟槽,终端区的沟槽为至少两个环绕元胞区的封闭的环形沟槽,靠近元胞区的至少一个环形沟槽为隔离环,该隔离环与零电位连接,靠近划片道的至少一个环形沟槽为截止环,该截止环与划片道连接。本发明的具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的隔离环与零电位连接,能够有效抑制漏电;截止环与划片道连接,使载流子不会沿着截止环积累,提高了该终端耐压结构的隔离效果和耐压效果。本发明的制造方法在不增加工艺复杂度的前提下,解决三层光刻工艺制备的沟槽MOSFET的耐压和漏电问题,减小了沟槽MOSFET的横向漏电,提高了器件的耐压,简化了工艺过程,降低了制造成本。 |
申请公布号 |
CN103824883A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201210467865.X |
申请日期 |
2012.11.19 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
朱超群;钟树理;陈宇 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET,其特征在于,包括:衬底及其上形成的外延层,所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同,在所述外延层内从上至下依次形成有源区和阱区,所述阱区的导电类型与所述衬底的导电类型相反,所述源区的导电类型与所述衬底的导电类型相同,所述源区的上表面与所述外延层的上表面处于同一平面;所述外延层划分为元胞区和终端区,所述终端区包围所述元胞区,在所述终端区内形成有栅极引线区,在所述元胞区内和终端区内分别形成有沟槽,所述沟槽的深度大于所述源区和阱区的厚度之和,所述终端区的沟槽为至少两个环绕所述元胞区的封闭的环形沟槽,所述环形沟槽彼此不相连接;在所述沟槽内形成有第一介质层和栅极;在所述外延层上形成有第二介质层,所述第二介质层内形成有接触孔,所述接触孔包括栅极接触孔、源极接触孔和截止环接触孔;在所述第二介质层表面形成有栅极金属层、源极金属层和截止环金属层,所述栅极金属层通过栅极接触孔与所述栅极相连,所述源极金属层通过源极接触孔与所述源区相连,所述截止环通过截止环接触孔与所述截止环金属层相连;以及在所述衬底之下形成有漏极金属层。 |
地址 |
518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 |